消息稱三星 6 月公布 SF1.4 計劃，量產提前
消息稱三星 6 月公布 SF1.4 計劃，量產提前至 2026 年。
韓媒 Business Korea 報道，三星有望今年 6 月公布 1nm 工藝計劃，并計劃將量產計劃從 2027 年提前至 2026 年。
三星原本計劃在 2027 年量產 SF1.4 工藝，而最新報道稱將提前至 2026 年。
三星電子晶圓代工業(yè)務部計劃于 6 月 12 日至 13 日在美國硅谷舉辦晶圓代工和 SAFE 論壇，屆時將公布其技術路線圖和加強晶圓代工生態(tài)系統(tǒng)的計劃。
根據(jù)三星之前的路線圖，2 納米 SF2 工藝將于 2025 年亮相。
與 3 納米的第二代 3GAP 工藝相比，在相同頻率和復雜度的情況下，它的能效提高了 25%，在相同功耗和復雜度的情況下，它的性能提高了 12%，同時芯片面積減少了 5%。
臺積電計劃在 2027 年達到 A16 節(jié)點（1.6 納米）。根據(jù) TechNews 此前援引國外媒體的報道，臺積電預計將于 2027-2028 年左右開始量產 1.4 納米。
韓媒 Business Korea 報道，三星有望今年 6 月公布 1nm 工藝計劃，并計劃將量產計劃從 2027 年提前至 2026 年。
三星原本計劃在 2027 年量產 SF1.4 工藝，而最新報道稱將提前至 2026 年。
三星電子晶圓代工業(yè)務部計劃于 6 月 12 日至 13 日在美國硅谷舉辦晶圓代工和 SAFE 論壇，屆時將公布其技術路線圖和加強晶圓代工生態(tài)系統(tǒng)的計劃。
根據(jù)三星之前的路線圖，2 納米 SF2 工藝將于 2025 年亮相。
與 3 納米的第二代 3GAP 工藝相比，在相同頻率和復雜度的情況下，它的能效提高了 25%，在相同功耗和復雜度的情況下，它的性能提高了 12%，同時芯片面積減少了 5%。
臺積電計劃在 2027 年達到 A16 節(jié)點（1.6 納米）。根據(jù) TechNews 此前援引國外媒體的報道，臺積電預計將于 2027-2028 年左右開始量產 1.4 納米。
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